储能产业图3.Ti负载g-C3N4氮空位催化的最低能量路径上的能量势垒（图中插入了五个过渡态的优化结构）。
行业须筑（b）B掺杂g-C3N4的示意图。产展必（e）B掺杂g-C3N4/SnS2的顶视图。
牢全链安（e）B掺杂g-C3N4/SnS2的能带结构图。Z-schemep-n型异质结构的优点是光生空穴的传输比n-n型异质结构更快，全围这对提高光催化剂的光催化活性非常重要。DFT计算获得了g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2的带隙、储能产业PDOS、吸收光谱、功函数和电荷密度差异。
研究发现B掺杂g-C3N4是一种p型光催化剂，行业须筑其光催化能力优于g-C3N4。g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构的功函数和电荷密度差异，产展必表明其电荷转移机制是Z-scheme电荷转移机制。
牢全链安文献链接：AhighefficientZ-schemeB-dopedg-C3N4/SnS2photocatalystforCO2reductionreaction:Acomputationalstudy（JMCA,2018,DOI:10.1039/C8TA07352J）。
全围（d）g-C3N4/SnS2的能带结构图。观察到分离的Ni单原子（较亮的点），储能产业红色圆圈标明。
行业须筑（B）样品Fe/N-C的HAADF-STEM显微照片（比例尺：5nm）。介绍了各种改变电催化剂表面和体积结构的方法，产展必包括杂原子掺杂，产展必空位控制，晶界，金属间化合物，金属-金属氧化物和金属-碳界面结构，以及它们在提高效率和选择性方面的作用。
牢全链安（B）缺陷和界面对催化剂表面的影响。全围非均匀电荷分布（右下）：缺陷限域电荷分布（左）与界面处电荷分布。